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多層金屬復合材料的制備工藝

根據多層復合材料在制備過(guò)程中組員材料的不同物理狀態(tài)，可以將多層復合材料的制備方法大體分為三類(lèi)：固相-固相復合、液相-固相復合、液相-液相復合。固相-固相復合的方法主要有爆炸焊接法，軋制法、擴散法，以及不同的方法組合，我司研制的真空熱壓燒結設備以及sps燒結設備也可應用在該領(lǐng)域。液相-固相復合主要包括鑄軋法、反向凝固法、堆焊法、噴射沉積法等。液相-液相復合主要包括電磁連鑄法等。本期著(zhù)重介紹固相-固相復合的方法。爆炸焊接法：爆炸焊接法是以炸藥作為能源，利用爆炸產(chǎn)生的高速沖擊作用于...

多層金屬復合材料研究現狀

隨著(zhù)科學(xué)技術(shù)的發(fā)展和進(jìn)步，對材料的性能要求也越來(lái)越高，傳統材料由于結構單一，綜合性能不夠突出，難以滿(mǎn)足對多性能耦合要求的服役環(huán)境。但是由多種不同性能的材料通過(guò)物理或者化學(xué)方法結合制備而成的復合材料，既能保持各組元材料*的性能，也能取長(cháng)補短，產(chǎn)生協(xié)同效應，使新制備的復合材料綜合性能遠優(yōu)于各組員材料的性能，從而滿(mǎn)足不同復雜工況的要求。自然界中也有很多類(lèi)似的結構，軟/硬相結合的多層結構可以提高其強度硬度的同時(shí)也能有很好的韌性。下圖為貝類(lèi)外殼的層狀結構。圖1貝類(lèi)外殼顯微結構由于異種金...

金屬基復合材料的制備

近些年來(lái)，科技的不斷發(fā)展和進(jìn)步，使得傳統材料已無(wú)法滿(mǎn)足多種產(chǎn)業(yè)對其比強度、比剛度等性能的要求。高性能材料的研發(fā)是現今新科技發(fā)展的重要方向，而復合材料的出現在較大程度上解決了材料所面臨的問(wèn)題，促進(jìn)了材料的發(fā)展。復合材料是由２種或２種以上不同性質(zhì)的材料，通過(guò)物理或化學(xué)的方法，在宏觀(guān)（微觀(guān)）上組成的具有新性能的材料。由于具備較高的比強度和比剛度，金屬基復合材料的研究和發(fā)展受到了眾多行業(yè)尤其是重工業(yè)的密切關(guān)注，然而加工困難是限制其工業(yè)應用的瓶頸問(wèn)題，成本控制問(wèn)題也并沒(méi)有得到完*，所以...

金屬基復合材料的發(fā)展現狀

金屬基復合材料除了具有高比強度、高比模量和低膨脹系數等特點(diǎn)外，還具有良好的耐熱性、高韌性、耐老化性、高導電和高導熱性，同時(shí)還能抗輻射、阻燃、不吸潮、不放氣等特點(diǎn)。通過(guò)不同材料的組合，可以人為地制造出符合科技與工業(yè)生產(chǎn)要求的復合金屬材料，可以應用于機械制造、冶金、交通、船舶、制藥等多個(gè)領(lǐng)域。1、金屬基復合材料的研究歷史及發(fā)展現狀在２０世紀６０年代，由于傳統金屬材料無(wú)法滿(mǎn)足一些國家對于高性能武器裝備以及航空技術(shù)發(fā)展的需求，因此人們開(kāi)始了對新材料的研究和開(kāi)發(fā)，促成了金屬基復合材料的...

金屬基復合材料

金屬基復合材料（MetalMatrixcomposites,MMCs）主要是指以金屬、合金為基體材料，以纖維、晶須、顆粒等高強度材料作為增強體，制備而成的一種復合材料。MMCs的常用的制備方法有：粉末冶金法、原位生成復合法、噴射成形法、鑄造凝固成型法等。按照不同增強相可以分為連續纖維增強（主要有碳及石墨纖維、碳化硅纖維、硼纖維、氧化鋁纖維、不銹鋼絲和鎢絲）、非連續纖維增強（包括碳化硅、氧化鋁、碳化硼等顆粒增強，碳化硅、氧化鋁、等晶須增強，氧化鋁纖維等短纖維增強）和疊層復合三類(lèi)...

碳化硅半導體封裝核心技術(shù)分析——銀燒結技術(shù)

隨著(zhù)電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，電子產(chǎn)品正在向著(zhù)質(zhì)量輕、厚度薄、體積小、功耗低、功能復雜、可靠性高這一方向發(fā)展。這就要求功率模塊在瞬態(tài)和穩態(tài)情況下都要有良好的導熱導電性能以及可靠性。功率模塊的體積縮小會(huì )引起模塊和芯片電流、接線(xiàn)端電壓以及輸入功率的增大，從而增加了熱能的散失，由此帶來(lái)了一些了問(wèn)題如溫度漂移等，會(huì )嚴重影響功率器件的可靠性，加速器件的老化。為了解決高溫大功率器件所面臨的問(wèn)題，近年來(lái)，納米銀燒結技術(shù)受到了越來(lái)越多研究者的關(guān)注。圖1蘋(píng)果手機主板上的器件集成度越來(lái)越高低溫燒結互連技術(shù)...

碳化硅晶體的高溫退火處理

碳化硅SiC晶體生長(cháng)較常見(jiàn)，較成熟的方法仍然是物理氣相輸運法（PVT），該方法是一種氣相生長(cháng)方法，生長(cháng)溫度高，對原材料以及工藝參數等都有很高的要求。近年來(lái)，國內外對PVT工藝的開(kāi)發(fā)投入了大量的時(shí)間和精力，SiC晶體的質(zhì)量和尺寸等方面有了很大的突破和提高，但是晶體中仍然存在組織缺陷和微觀(guān)應力。組織缺陷的存在會(huì )惡化SiC基器件的性能，從而影響器件的應用，而應力的存在則會(huì )使得SiC晶體在加工階段容易碎裂，從而降低SiC晶片的成品率。因此，降低SiC晶體中存在的組織缺陷和微觀(guān)應力就顯...

第三代半導體材料之碳化硅

碳化硅SiC是一種由硅﹙Si﹚與碳﹙C﹚以共價(jià)鍵為主結合而成的化合物，其基本單元為Si-C四面體，其中Si原子位于中心，周?chē)鸀镃原子。SiC所有的結構均由Si-C四面體以不同的堆積方式構成。目前已發(fā)現的碳化硅同質(zhì)異型晶體結構有200多種，其中六方結構的4H型SiC（4H-SiC）具有高臨界擊穿電場(chǎng)、高電子遷移率的優(yōu)勢，是制造高壓、高溫、抗輻照功率半導體器件的優(yōu)良半導體材料，也是目前綜合性能好、商品化程度高、技術(shù)成熟的第三代半導體材料，它具有：（1）臨界擊穿電場(chǎng)強度是硅材料近1...