技術(shù)文章
TECHNICAL ARTICLES碳化硅SiC晶體生長(cháng)較常見(jiàn),較成熟的方法仍然是物理氣相輸運法(PVT),該方法是一種氣相生長(cháng)方法,生長(cháng)溫度高,對原材料以及工藝參數等都有很高的要求。近年來(lái),國內外對PVT工藝的開(kāi)發(fā)投入了大量的時(shí)間和精力,SiC晶體的質(zhì)量和尺寸等方面有了很大的突破和提高,但是晶體中仍然存在組織缺陷和微觀(guān)應力。組織缺陷的存在會(huì )惡化SiC基器件的性能,從而影響器件的應用,而應力的存在則會(huì )使得SiC晶體在加工階段容易碎裂,從而降低SiC晶片的成品率。因此,降低SiC晶體中存在的組織缺陷和微觀(guān)應力就顯得尤為重要,而高溫退火處理能夠有效的降低微觀(guān)應力和消除組織缺陷。
退火處理是指將材料在特定氣氛中加熱到一定的溫度,保溫一段時(shí)間之后,再以合適的速率冷卻的一種方法,是材料領(lǐng)域很常見(jiàn)的一種熱處理工藝。退火處理在人工晶體的后處理工序中有重要的作用,例如單晶Si、藍寶石等晶體在生長(cháng)完成之后都要進(jìn)行相應的退火處理,以消除晶體中的應力和缺陷,提高晶體的結晶質(zhì)量。
組織缺陷
采用PVT法制備的SiC晶體中通常會(huì )產(chǎn)生位錯、微管道、堆垛層錯、多型夾雜以及包裹體等缺陷組織。
位錯是一種由應變引起的線(xiàn)缺陷,位錯的產(chǎn)生會(huì )嚴重影響力學(xué)性能和電學(xué)性能;微管道的存在會(huì )對SiC基器件產(chǎn)生致命性的影響,高壓器件即使只有一個(gè)微管道也會(huì )導致器件的破壞,微管道的形成機理目前尚未形成共識,仍在研究中。如下圖所示為Si面的位錯腐蝕坑,其中大的六方形腐蝕坑為微管;中等尺寸的六方形腐蝕坑為螺位錯,呈現六角形,小的六方形腐蝕坑為刃位錯,橢圓形腐蝕坑的為面位錯。
圖1 Si面的位錯腐蝕坑
SiC晶體中某個(gè)區域堆垛次序偏離了原本的堆垛次序,就會(huì )產(chǎn)生錯排,從而形成堆垛層錯。多型夾雜的產(chǎn)生是由于不同的SiC晶型的生長(cháng)溫度區間有重疊,而多型之間有具有良好的結晶學(xué)相容性和相近的自由能,這種缺陷的存在會(huì )破壞SiC晶體的結構完整性。SiC晶體在生長(cháng)過(guò)程中吸附一些較大的雜質(zhì)粒子就會(huì )形成鑲嵌結構和包裹體缺陷。
微觀(guān)應力
SiC晶體中會(huì )產(chǎn)生微觀(guān)應力,一方面是由于SiC晶體中產(chǎn)生的各種缺陷,例如上述缺陷組織和周?chē)8顸c(diǎn)之間產(chǎn)生的畸變,會(huì )在周?chē)a(chǎn)生應力場(chǎng)。另一方面,SiC晶體的非均勻生長(cháng)也會(huì )產(chǎn)生應力,例如SiC晶體生長(cháng)的坩堝內存在的軸向和徑向的溫度梯度,他的存在導致SiC晶體表面生長(cháng)速率不一致,從而使得生長(cháng)出的SiC晶錠表面呈現凹凸不平的形態(tài)。應力的存在會(huì )在后期加工過(guò)程中(滾圓、表面磨削、多線(xiàn)切割等)很容易造成開(kāi)裂,較好的降低SiC晶片的成品率。
碳化硅晶體的高溫退火處理工藝
在PVT法生長(cháng)SiC單晶的過(guò)程中,不可避免的會(huì )產(chǎn)生很多缺陷和應力,為了提高SiC晶體的結晶質(zhì)量,減少組織缺陷和熱應力,必須對SiC晶體進(jìn)行高溫退火處理。該過(guò)程基本可以分為“升溫——保溫——降溫”三個(gè)過(guò)程,這三個(gè)過(guò)程可以重循環(huán)多次。由于SiC晶體的耐高溫能力強,為了大限度的降低熱應力,晶片的退火溫度比較高,一般在1800℃左右。
圖2 SiC晶片退火工藝流程
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