PECVD系統技術(shù)是在低氣壓下，利用低溫等離子體在工藝腔體的陰極上（即樣品放置的托盤(pán)）產(chǎn)生輝光放電，利用輝光放電（或另加發(fā)熱體）使樣品升溫到預定的溫度，然后通入適量的工藝氣體，這些氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應和等離子體反應，最終在樣品表面形成固態(tài)薄膜。
在反應過(guò)程中，反應氣體從進(jìn)氣口進(jìn)入爐腔，逐漸擴散至樣品表面，在射頻源激發(fā)的電場(chǎng)作用下，反應氣體分解成電子、離子和活性基團等。這些分解物發(fā)生化學(xué)反應，生成形成膜的初始成分和副反應物，這些生成物以化學(xué)鍵的形式吸附到樣品表面，生成固態(tài)膜的晶核，晶核逐漸生長(cháng)成島狀物，島狀物繼續生長(cháng)成連續的薄膜。在薄膜生長(cháng)過(guò)程中，各種副產(chǎn)物從膜的表面逐漸脫離，在真空泵的作用下從出口排出。
主要用途：
高校、科研院所用于真空鍍膜、納米薄膜材料制備，生長(cháng)薄膜石墨烯，金屬薄膜，陶瓷薄膜，復合薄膜等，也可作為擴展等離子清洗刻蝕使用。
PECVD系統工藝中由于等離子體中高速運動(dòng)的電子撞擊到中性的反應氣體分子，就會(huì )使中性反應氣體分子變成碎片或處于激活的狀態(tài)容易發(fā)生反應；借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強，很容易發(fā)生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜；具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質(zhì)量好、針孔較少、不易龜裂等優(yōu)點(diǎn)；
PECVD小型滑動(dòng)開(kāi)啟式管式爐系統通過(guò)滑動(dòng)爐體來(lái)實(shí)現快速的升降溫，配置不同的真空系統來(lái)達到理想的真空度；同時(shí)通過(guò)多路高精度質(zhì)量流量計控制不同氣體。是實(shí)驗室生長(cháng)薄膜石墨烯，金屬薄膜，陶瓷薄膜，復合薄膜等的理想選擇。
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