PECVD系統主要由真空和壓力控制系統、淀積系統、氣體及流量控制、系統安全保護系統、計算機控制等部分組成。該技術(shù)是在低氣壓下，利用低溫等離子體在工藝腔體的陰極上（即樣品放置的托盤(pán)）產(chǎn)生輝光放電，利用輝光放電（或另加發(fā)熱體）使樣品升溫到預定的溫度，然后通入適量的工藝氣體，這些氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應和等離子體反應，最終在樣品表面形成固態(tài)薄膜。
工藝原理：
在反應過(guò)程中，反應氣體從進(jìn)氣口進(jìn)入爐腔，逐漸擴散至樣品表面，在射頻源激發(fā)的電場(chǎng)作用下，反應氣體分解成電子、離子和活性基團等。這些分解物發(fā)生化學(xué)反應，生成形成膜的初始成分和副反應物，這些生成物以化學(xué)鍵的形式吸附到樣品表面，生成固態(tài)膜的晶核，晶核逐漸生長(cháng)成島狀物，島狀物繼續生長(cháng)成連續的薄膜。在薄膜生長(cháng)過(guò)程中，各種副產(chǎn)物從膜的表面逐漸脫離，在真空泵的作用下從出口排出。
薄膜制備工藝在超大規模集成電路技術(shù)中有著(zhù)非常廣泛的應用，按照其成膜方法可分為兩大類(lèi)：物理氣相沉積(PVD)和化學(xué)氣相沉積（CVD）。等離子增強型化學(xué)氣相淀積（PECVD）是化學(xué)氣相淀積的一種，其淀積溫度低是它突出的優(yōu)點(diǎn)。PECVD淀積的薄膜具有優(yōu)良的電學(xué)性能、良好的襯底附著(zhù)性以及臺階覆蓋性，正由于這些優(yōu)點(diǎn)使其在超大規模集成電路、光電器件、MEMS等領(lǐng)域具有廣泛的應用。
PECVD系統是一門(mén)復雜的工藝，要保證淀積薄膜的質(zhì)量，除了要保證設備的穩定性外，還必須掌握和精通其工藝原理及影響薄膜質(zhì)量的各種因素，以便在出現故障時(shí)，能迅速分析出導致故障的原因。另外，對設備的日常維護和保養也非常重要。
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