PECVD系統具有優(yōu)良的電學(xué)性能、良好的襯底附著(zhù)性以及臺階覆蓋性，正由于這些優(yōu)點(diǎn)使其在超大規模集成電路、光電器件、MEMS等領(lǐng)域具有廣泛的應用。適用于室溫至1200℃條件下進(jìn)行Si02、SiNx薄膜的沉積，同時(shí)可實(shí)現TEOS源沉積，Sic膜層沉積以及液態(tài)氣態(tài)源沉積其它材料，尤其適合干有機材料上高效保護層膜和特定溫度下無(wú)損傷鈍化膜的沉積。
 

　　膜制備工藝在超大規模集成電路技術(shù)中有著(zhù)非常廣泛的應用，按照其成膜方法可分為兩大類(lèi)：物理氣相沉積(PVD)和化學(xué)氣相沉積(CVD)。等離子增強型化學(xué)氣相淀積(PECVD)是化學(xué)氣相淀積的一種，其淀積溫度低是它突出的優(yōu)點(diǎn)。
 

　　結構組成：
 

　　PECVD系統主要由真空和壓力控制系統、淀積系統、氣體及流量控制、系統安全保護系統、計算機控制等部分組成。該技術(shù)是在低氣壓下，利用低溫等離子體在工藝腔體的陰極上(即樣品放置的托盤(pán))產(chǎn)生輝光放電，利用輝光放電(或另加發(fā)熱體)使樣品升溫到預定的溫度，然后通入適量的工藝氣體，這些氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應和等離子體反應，最終在樣品表面形成固態(tài)薄膜。
 

　　工藝原理：
 

　　在反應過(guò)程中，反應氣體從進(jìn)氣口進(jìn)入爐腔，逐漸擴散至樣品表面，在射頻源激發(fā)的電場(chǎng)作用下，反應氣體分解成電子、離子和活性基團等。這些分解物發(fā)生化學(xué)反應，生成形成膜的初始成分和副反應物，這些生成物以化學(xué)鍵的形式吸附到樣品表面，生成固態(tài)膜的晶核，晶核逐漸生長(cháng)成島狀物，島狀物繼續生長(cháng)成連續的薄膜。在薄膜生長(cháng)過(guò)程中，各種副產(chǎn)物從膜的表面逐漸脫離，在真空泵的作用下從出口排出。