PECVD系統就是為了使傳統的化學(xué)氣象沉積反應溫度降低，普通CVD設備的沉積溫度大多在900℃左右，而在普通CVD裝置的前端加入RF射頻感應裝置將反應氣體電離，形成等離子體，利用等離子體的活性來(lái)促進(jìn)反應，可以使化學(xué)氣相沉積的溫度降到400℃左右，所以這個(gè)系統稱(chēng)為增強型化學(xué)氣相沉積系統。 PECVD綜合了國內大多數廠(chǎng)家的PECVD系統的優(yōu)點(diǎn)，觸摸屏集中一鍵控制，實(shí)驗證明此結構沉積速度快，成膜質(zhì)量好，針孔較少，不易龜裂。而且控制部分采用了自主研發(fā)的實(shí)驗電爐AIO全自動(dòng)智能控制系統，使得操作更加簡(jiǎn)便，功能更加強大。
產(chǎn)品用途：
PECVD系統是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強，很容易發(fā)生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。
主要特點(diǎn)：
1、智能氣路通斷：每路氣體均可定時(shí)通斷，自由切換，省時(shí)省力；
2、射頻功率的定時(shí)控制：預先設定好功率的大小和打開(kāi)與關(guān)閉的時(shí)間，自動(dòng)運行；
3、整機結構融為一體：整機長(cháng)度只有1.5米，移動(dòng)方便，避免分散組裝的困擾。
4、AIO控制系統：加熱控制、等離子射頻控制、氣體流量控制、真空系統控制集中于一個(gè)7英寸觸摸屏進(jìn)行統一集中調節和操控，協(xié)調控制：成儀AIO控制系統；
5、爐膛移動(dòng)速度可調：根據實(shí)驗要求，用戶(hù)可設定爐膛左右移動(dòng)的速度和距離，在沉積結束后爐膛可自動(dòng)移開(kāi)沉積區，使樣品快速冷卻；
6、管內真空度自動(dòng)平衡：管內真空度實(shí)時(shí)監測，自動(dòng)平衡。PECVD工藝要求石英管內真空度通常在0.1～100Pa之間，PECVD的AIO控制系統會(huì )通過(guò)真空泵的自動(dòng)啟停來(lái)維持用戶(hù)設定的管內真空度，使成膜效果達Z佳的均勻性。
時(shí)間：2024-07-16
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